面向HDTV及游戏机 三星等开发25.6Gbps DRAM

　　 韩国三星电子和美国Silicon Image日前联合开发成功了面向HDTV及新一代游戏机等数字家电的、多媒体处理性能更高的“多串口多媒体动态随机存取存储器（MM－DRAM）”。存储容量为128Mbit。已在2004年6月17日开幕的半导体电路技术国际会议“2004 Symposium on VLSI Circuits”上发表。

　　最大特点是具备4个可分别与外部通信的串行接口。各接口可同时以最大3.2Gbit/秒的数据处理速度分别读取及写入。通过各接口分别负责不同处理，来提高并列处理速度。芯片整体传输速度达25.6Gbit/秒。MM－DRAM内部具备调配电路，因此无需外部存储控制器。而原来以同步动态随机存储器（SDRAM）为代表的存储系统则需要复杂的存储控制器。MM－DRAM“为了有效利用存储空间而设计了调配电路，因此可将需要的存储容量控制到最小限度”（三星）。

　　此次由上述两公司开发成功的串行接口在收、发信号方面分别配备了预强调（Pre-emphasis）电路和时钟/数据恢复(CDR)电路。信号振幅减小到了300mV（振幅中心电压为+1.65V），抑制了耗电及电磁干扰（EMI）的增加。

　　在MM－DRAM的联合开发中，Silicon Image负责串行接口周围的设计，而三星则负责除此以外的设计。