现代单模光纤的改进及其制造技术

　　4）在按照IEC60793-2中关于B1.3类光纤的氢老化之后，在yyyy nm抽测到的平均衰减应当小于或等于在1310nm所规定之值。

　　从表4可知，G.652A除有些指标加严并明确了对PMD不作规定以外，其他各项参数基本上都与的规定延伸到L波段（第4窗口）并对PMD作了规定。G.652C在G.652B的基础上增加了在水峰附近的一个波长上的衰减规定，以保证在S波段（第5窗口）的传输。

　　图1示出了G.652A光纤的典型衰减光谱特性。我们能够注意到曲线上的三个特点：

　　波长λ/μm

　　图1 G.652A光纤的典型衰减光谱特性。图中○内的数字代表波长窗口号

　　1)在短波长区内的衰减随波长的增加而减小，这是因为在这个区域内，与波长的4次方成反比的瑞利散射所引起衰减是主要的；

　　2)在1.6μm以上的波长上由于宏弯损耗和二氧化硅吸收而使衰减有上升的趋势；

　　3)曲线上有OH-引起的几个吸收峰（亦称水峰），特别是1.385μm波长上的峰。

　　改善宏弯损耗和二氧化硅吸收就能得到G.652B光纤。在此基础上再消灭水峰就能得到G.652C光纤。朗讯科技公司首先利用独特的制棒技术开发出来的全波光纤和康宁公司最近开发的SMF28-e光纤都属于G.652C光纤。图2示出了全波光纤典型的衰减光谱特性全波光纤消除了水峰衰减外，其他性能都与常规单模光纤（G.652光纤）相同。它能采用与常规单模光纤同样的连接方法和连接器。