基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

豆豆网   技术应用频道   2007年12月22日  【字号: 收藏本文

内容摘要:本文介绍了高速双MOSFET驱动器MC34152的内部结构、工作原理以及由MC34152与CMOS逻辑器件组成的软开关变换器驱动电路的设计。

  软开关变换器驱动电路设计

  升压ZVT-PWM变换器是一种零电压转换软开关变换器,其结构如图1所示,由主电路和控制系统两部分组成。在主电路中,S为主开关,S1为辅助开关,控制系统包括PWM信号产生电路及驱动电路。

基于MC34152的软开关变换器高速驱动电路设计

   图1 ZVT-PWM变换器结构框图

  指标要求

  变换器:开关频率fS=100KHz;输入电压Vi=12V;输出电压Vo=48V;输出功率Po=100W。

  驱动电路:输出峰值电流Iom<1A;输出峰值电压Vom>5V;驱动脉冲上升时间tr和下降时间tf均<50ns;驱动脉冲上升沿和下降沿的传输延迟(tPLH和tPHL)均<150ns。

  电路设计

  为满足指标要求,主、辅开关均选用MTM15N20,为功率MOSFET,其主要参数为:VDS=200V,ID=15A,VGS(th)=2V,RDS(ON)=0.12W,Ciss=2000pF,Coss=700pF,Crss=200pF。设增益因子A=芕DS/芕GS=10,考虑到从栅极到漏极电容Crss引入的密勒效应,则栅极回路总输入电容为:

  Cin≈Ciss+A.Crss=2000+10×200=4000pF    

  要求输入电容电压在tr(50 ns)时间内栅极电压达到10V,则栅极输入电流为:

  Ig=Cin.dv/dt=Cin.VGS/tr=4000×

  10-12.10/50×10-9=0.8A

  从MC34152的性能参数可见,采用MC34152可满足MTM15N20对驱动源内阻小、电流大的要求。

  主开关S的触发信号可由集成PWM芯片产生,例如常用的TL494、LM3524等。适当调整死区电压,限制开关脉冲的最大宽度,以保证有足够的时间安插辅助开关S1的触发信号。辅助开关S1的触发信号可采用D触发器(如CD4013)构成的单稳态电路,结合逻辑反相器(如CD4069)对来自PWM芯片的脉冲进行波形变换而获得。综合以上考虑, ZVT-PWM变换器的驱动电路如图2所示。

来源:电子设计应用    作者:曾庆虹 晋建秀    责编:豆豆技术应用

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